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NP110N04PUG
500
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
V DS = 10 V
400
300
200
100
0
V GS = 10 V
Pulsed
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Pulsed
T A = ? 55°C
? 25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
1
2
3
4
5
6
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
3
2
1
V DS = V GS
I D = 250 μ A
100
10
T A = ? 55°C
25°C
85°C
125°C
175°C
0
1
-100
-50
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
5
I D = 110 A
Pulsed
3
4
3
55 A
22 A
2
1
0
V GS = 10 V
Pulsed
2
1
0
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16852EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
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